基盤研究(A)（一般）
「トポロジカル物質科学の開拓」
代表者 村上 修一
研究期間：H30.4-R5.3
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新学術領域研究（研究領域提案型）
「トポロジカル材料のバルク境界対応における平面・空間充填」
代表者 村上 修一
研究期間：R2.4-R4.3
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国家課題対応型研究開発推進事業・元素戦略プロジェクト＜研究拠点形成型＞
「東工大元素戦略拠点(TIES)」
代表者 細野 秀雄 教授（東京工業大学）
研究期間：H24.6-R4.3
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戦略的創造研究推進事業チーム型研究(CREST)
「二次元機能性原子・分子薄膜の創製と利用に資する基盤技術の創出」（国立研究開発法人科学技術振興機構）
代表者 富永 淳二 先生 (産業技術総合研究所)
研究期間：H26.10-R2.3
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挑戦的萌芽研究
「カイラル伝導の理論的探索」
代表者 村上 修一
研究期間：H28.4-31.3
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新学術領域研究（研究領域提案型）
「スピン変換機能設計」
代表者 村上 修一
研究期間：H26.6-31.3 
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基盤研究（B）
「トポロジーに基づくバンド構造制御と新奇物性探索」
代表者 村上 修一
研究期間：H26.4-31.3
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挑戦的萌芽研究
「２次元電子ガス２層系における結合共鳴スピンホール効果の研究」
代表者 山田 省二 教授 (北陸先端科学技術大学院大学)
研究期間：H26.4-28.3
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旭硝子財団研究助成「研究奨励」第２分野物理･情報系（公益財団法人 旭硝子財団）
「トポロジカル絶縁体における電荷・スピン・熱輸送の理論的研究」
代表者 村上 修一
研究期間：H24.6-27.3
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特別推進研究
「電子波束のスピン物性」
代表者 藤沢 利正 教授（東京工業大学）
研究期間：H26.6-31.3
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新学術領域研究 （公募研究）
「電磁現象におけるトポロジカル相の理論的探索」
代表者 村上 修一
研究期間：H25.4-26.6
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基盤研究（C）
「量子スピンホール効果の新奇物性探索とデザイン」
代表者 村上 修一
研究期間：H22.4-26.3
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新学術領域研究 （公募研究）
「電磁現象におけるトポロジカル相の理論的探索」
代表者 村上 修一
研究期間：H25.4-26.6
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2011年度基礎科学研究助成 （公益財団法人 住友財団）
「ボーズ粒子系でのトポロジカル輸送現象の基礎理論とその物性現象への応用」
代表者 村上 修一
研究期間：H23.4-25.9
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JST戦略的創造事業（さきがけ）
研究領域「革新的次世代デバイスを目指す材料とプロセス」
課題名「デバイス応用に向けたスピン流と熱流の結合理論」
代表者 村上 修一
研究期間：H19.10-23.3
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若手研究（B）
「表面・界面でのスピンホール効果の特異な物性の研究」
代表者 村上 修一
研究期間：H19.4-22.3
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特定領域研究
「量子スピンホール効果を示す物質の探索」
代表者 村上 修一
研究期間：H19.4-21.3
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若手研究（B）
「半導体における電場誘起スピン電流とベリー位相」
代表者 村上 修一
研究期間：H16.4-19.3
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奨励研究（A）→若手研究（B）
「強相関電子系における多重臨界現象」
代表者 村上 修一
研究期間：H13.4-15.3
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終了したプロジェクト
現在のプロジェクト